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2．光电计数器
表2、光敏Z-元件应用电路与输出信号波形阻态图
  
 
图8是光电计数器电路。D1是缓冲级D2-1、D2-2是信号反相级，供计数级选择。R1、V1、V2、R2、R3构成了温度补偿电桥，其中，V2避光，V1受光，且V1、V2应选择反向灵敏度温漂DTR相近的Z-元件。R2用来调整在最大温漂状态下，无光照时D1保持输出为低电平。在被计数的物品遮挡一次光照时，D1输出一个负脉冲，D2-1、D2-2输出的计数脉冲可供选择。当工作温度变化时，因D1两个输入端等电位同步变化，不致产生误动作。
光敏Z-元件还有更多的场合能够应用，这里不一一例举。
七、 磁敏Z-元件及其技术参数
1．磁敏Z-元件的结构、电路符号及命名方法
磁敏Z-元件是一种经过特殊掺杂而制得的改性PN结。图9(a)是结构示意，图9(b)是电路符号，“+”表示正向使用时接电源“+”端，M表示对磁场敏感。
表3、磁敏Z-元件分档代号与技术参数
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名称 |
符号 |
阈值电压分档代号 |
单位 |
测试条件(T=20°C) |
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10 |
20 |
30 |
31 |
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阈值电压 |
Vth |
<10 |
10-20 |
20-30 |
>30 |
V |
RL:5~150kW |
|
阈值磁场 |
Bth |
1 |
<300 |
mT |
RL:5~150kW |
|
2 |
>300 |
|
阈值电流 |
Ith |
<1 |
£2 |
£3 |
>3 |
mA |
RL:5kW |
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磁场范围 |
B |
1 |
(1~1.5)Bth |
mT |
RL:5~150kW |
|
2 |
|
频率范围 |
f |
1~100 |
kHz |
RL:5kW |
|
输出幅值 |
VP.P |
³Vth/6 |
V |
RL:5~150kW |
|
频率灵敏度 |
SF |
>20 |
Hz/mT |
RL:5~150kW |
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电压灵敏度 |
ST |
<-300 |
mV/100mT |
E>Vth+RL.Ith | |
磁敏Z-元件的命名方法有两种：
国内命名法
国际命名法
2．磁敏Z-元件的伏安特性曲线
磁敏Z-元件的伏安特性，应当在无磁场的情况下进行测量，图9(c)是伏安特性测量电路，正向伏安特性的测量电路与方法与温敏Z-元件的相同[6]。
图9(d)的伏安特性中OP段为高阻区，记为M1，pf段为负阻区，记为M2，fm为低阻区，记为M3区。特性中的Vth叫做阈值电压，表示在25℃时两端电压的最大值。Ith叫做阈值电流，是Z-元件电压为Vth时的电流。Vf叫做导通电压，是M3区电压的最小值。If叫做导通电流，是对应Vf的电流，是低阻区电流最小值。反向特性无磁敏。
3．磁敏Z-元件的分档代号与技术参数
磁敏Z-元件的技术参数列于表3，磁敏Z-元件的分档代号有两个，一个是Vth，共分四档；另一个是阈值磁场，共分两档。磁敏Z-元件的技术参数符合QJ/HN003-1998。
八、 磁敏Z-元件的磁敏特性
磁敏Z-元件的正向伏安特性，可用图9(c)所示电路进行测量，与温敏Z-元件正向伏安特性测量电路与方法相同。［6］
磁敏Z-元件在磁场中，其伏安特性曲线形状发生了变化，因而，技术参数也发生了变化。磁场由弱到强的变化过程，技术参数的变化范围如表3所示。
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