Z-半导体敏感元件原理与应用一

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Z-半导体敏感元件原理与应用一

□ 王建林 姜毓锋 付佳旭 祖雪柏


摘要:本文重点介绍光敏Z-元件、磁敏Z-元件的特性、典型应用电路、设计方法和应用示例,供广大用户利用光、磁敏Z-元件进行应用开发时参考。

关健词:Z-元件、光敏Z-元件、磁敏Z-元件、传感器

一、 前言

光敏Z-元件是Z-半导体敏感元件产品系列中[3]重要品种之一。它具有与温敏Z-元件相似的伏安特性,该元件也具有应用电路极其简单、体积小、输出幅值大、灵敏度高、功耗低、抗干扰能力强等特点。能提供模拟、开关和脉冲频率三种输出信号供用户选择。用它开发出的三端数字传感器,不需要前置放大器、A/D或V/F变换器,就能与计算机直接通讯。该元件的技术参数符合QJ/HN002-1998的有关规定。

磁敏Z-元件是Z-半导体敏感元件产品系列中[3]第三个重要品种。它具有与温敏Z-元件相似的伏安特性,该元件体积小,应用电路极其简单,在磁场的作用下,能输出模拟信号、开关信号和脉冲频率信号,而且输出信号的幅值大、灵敏度高、抗干扰能力强。

光敏、磁敏Z-元件及其三端数字传感器,通过光、磁的作用,可实现对物理参数的测量、控制与报警。

二、 光敏Z-元件及其技术参数

5t1.gif (3349 字节)


图1 电路符号与伏安特性

1. 光敏Z-元件的结构、电路符号及命名方法

光敏Z-元件是一种经过重掺杂而形成的特种PN结,是一种正、反向伏安特性不对称的两端有源元件。
表1、光敏Z-元件的分档代号与技术参数

名称

符号

单位

阈值电压分档代号

测试条件

T=20°C25°C

10

20

30

31

阈值电压

Vth

V

<10

10~20

20~30

>30

RL=5kW

阈值电流

Ith

mA

£1

£15

£2

£3

RL=5kW

导通电压

Vf

V

£5

£10

£15

£20

RL=5kW

反向电流

IR

mA

£45

£45

£45

£45

E=25V

允许功耗

PM

mW

100

100

100

100

 

转换时间

t

ms

20

20

20

20

 

阈值灵敏度

Sth

mV/100lx

-80

-120

-150

-200

RL=5kW

阈值灵敏度温漂

DTth

%/100lx×°C×FS

>-4

RL=5kW

M1区灵敏度

SM1

mV/100 lx

200

250

300

350

RL=Vth/Ith

M1区灵敏度温漂

DTM1

%/100 lx×°C×FS

>-3

RL=Vth/Ith

反向灵敏度

SR

mV/100lx

>800

E=25V

反向灵敏度温漂

DTR

%/100 lx×°C×FS

>-1

RL=510kW

图1(a)为结构示意图,图1(b)为电路符号。元件引脚有标记的或尺寸较长的为“+”极。

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