Z-半导体敏感元件原理与应用二

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Z-半导体敏感元件原理与应用二

该元件的命名方法分国内与国际两种:

国内命名法:

5t2.gif (829 字节)

国际命名法

5t3.gif (740 字节)

响应波长代号 :

1—0.4~1.2mm
2—0.2~1.2mm。

2. 光敏Z-元件的伏安特性曲线

图1(d)为光敏Z-元件的的伏安特性曲线。在第一象限,OP段M1区为高阻区(几十千欧~几百千欧)。pf段M2区为负阻区,fm段M3区为低阻区(几十千欧~几百千欧)。其中Vth叫阈值电压,表示在T(℃)时Z-元件两端电压的最大值。Ith叫阈值电流,是Z-元件与Vth对应的电流。Vf叫导通电压,是M3区电压的最小值。If叫导通电流,是对应Vf的电流,也是M3区电流的最小值。在第三象限为反向特性,反向电流IR是在无光照时反向电压VR为25V时测量的,其值(微安级)很小。

3. 光敏Z-元件的分档代号与技术参数

光敏Z-元件的分档代号与技术参数见表1。其分档代号按Vth值的大小排列。型号分二种,按其响应波长分。目前产品波长代号皆为1。

三、 光敏Z-元件的光敏特性

1. 无光照时光敏Z-元件正、反向伏安特性的测量

用遮光罩把光敏Z-元件罩上,即在无光照的情况下,利用图1(c)特性测量电路测量其正、反向伏安特性,测量电路与方法与温敏Z-元件相同 [6] 。

2. 光敏Z-元件正向光敏特性

把Z-元件接在正向特性测量电路上,Z-元件放置在可变照度的光场中。测量时照度由小到大,每次递增100lx,用数字照度计校准,然后测量Z-元件的正向特性,记录不同照度时的Vth、Ith、Vf 。从测试可知,光敏Z-元件的阈值点P(Vth,Ith)随着照度的增加,一直向左偏上方向移动如图2(a),Vth随光照增加而增大,Vf变化较小。Vth、Ith与照度L的关系参看图3。

光敏Z-元件的正向特性还具有光生伏特现象,Z-元件的“正”极即光生伏特的“+”极。目前,光生伏特饱和电动势为200mV左右,短路电流随光照增强而增大。当照度为100lx~5000 lx时短路电流为几微安至几十微安。

3. 光敏Z-元件反向光敏特性

把Z-元件连接在反向特性测量电路中,并把Z-元件置于可变光场中。改变光场照度,用数字照度计校准,测量其反向特性,即反向电压VR与反向电流IR的关系。其特性如图2(b)。可以看出其反向电阻随照度增加而减小,反向电流随光照增强而变大。

四、 光敏Z-元件的应用电路

光敏Z-元件有与温敏Z-元件相似的正、反向伏安特性,温敏Z-元件的应用电路,在理论上都适用于光敏Z-元件。考虑到光敏Z-元件的Vth、Ith、IR有一定的温漂,因此在光开关电路中,应当有抗温度干扰的余量,在模拟应用电路中,应采用具有抗温漂自动补偿电路。

5t4.gif (7764 字节)

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